氮化镓（GaN）已成为功率电子市场的重要增长点，其优越的材料性能赋予其在高频、高效、小型化电源应用中的独特优势，正在推动多个细分领域进入新一轮技术革新周期。
在此背景下，TrendForce集邦咨询近日发布相关研究报告，预计GaN功率器件市场规模将从2024年的3.9亿美元攀升至2030年的35.1亿美元，年复合增长率达44%。
据了解，GaN技术最初在消费电子产品的快速充电器中崭露头角，其高效率和高功率密度特性使得充电器体积大幅缩小，携带更为便捷。如今，GaN的应用范围正在迅速扩大，并朝着对可靠性和性能要求更高的高端工业和汽车领域渗透，重点潜力应用包括AI数据中心、人形机器人、汽车OBC、光伏微型逆变器等。
例如，英伟达正在推动800V HVDC数据中心电力基础设施的转型，以支持从2027年开始的功率超过1MW的IT机架。这一举动为GaN产业带来了新的成长动能，其高频、高效的特性正好满足AI硬件对高功率密度、散热优化和能效提升的迫切需求，目前已有多家GaN厂商相继宣布与英伟达建立了合作关系。
另外，人形机器人正从研究实验室走向商业化应用，其关节部位需要精确、响应快速且结构紧凑的电机控制系统，GaN有望成为关键的解决方案之一，助力人形机器人性能飞跃。不少厂商陆续推出了基于GaN技术的人形机器人关节电机驱动参考设计，期望实现紧凑高效的运动控制。
在汽车市场，GaN正在成为继Si和SiC之后重要的新兴技术选项。汽车OBC正在转向更轻更小的设计，使用GaN BDS技术可显著提高OBC的功率密度和效能。对于牵引逆变器组件，尽管仍面临多项挑战，但GaN技术已展现出了巨大的应用潜力，其高效率、小型化、轻量化等优势能够显著提升电动汽车的性能和续航里程，持续吸引着汽车业者的关注。
展望未来，TrendForce认为，随着GaN技术的不断成熟和规模化生产的推进，晶圆尺寸将全面转向8英寸及12英寸，其制造成本将进一步降低，使其在更多成本敏感型市场中具有竞争力，并逐步接近硅器件的成本，从而加速渗透至下游多领域。
“总体而言，功率GaN市场已经越过初期的技术验证和市场导入阶段，正式进入一个由成本效益驱动、多应用领域并发的黄金增长期。未来几年，可以见证GaN技术在数据中心、电动汽车、机器人、可再生能源等关键领域的大规模部署。”该机构分析称。
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